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数量:117000 |
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规格书 |
NTLGF3402P |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 2.3A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 10nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 350pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.14W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-VDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | 6-DFN (3x3) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 6DFN EP |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 20 V |
最大连续漏极电流 | 2.7 A |
RDS -于 | 140@4.5V mOhm |
最大门源电压 | ±12 V |
典型导通延迟时间 | 6.2 ns |
典型上升时间 | 22 ns |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
典型下降时间 | 34 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±12 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | DFN |
最低工作温度 | -55 |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 140@4.5V |
最大漏源电压 | 20 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | DFN EP |
最大功率耗散 | 1140 |
最大连续漏极电流 | 2.7 |
引脚数 | 6 |
铅形状 | No Lead |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.3A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | 6-DFN (3x3) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.14W |
封装/外壳 | 6-VDFN Exposed Pad |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 350pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 10nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | P-Channel |
配置 | Single Dual Source |
源极击穿电压 | +/- 12 V |
连续漏极电流 | - 2.7 A |
正向跨导 - 闵 | 4.8 S |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 140 mOhms |
功率耗散 | 1.6 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 22 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | - 20 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 22 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
宽度 | 3 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
产品 | MOSFET Small Signal |
品牌 | ON Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current | - 2.7 A |
长度 | 3 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 140 mOhms |
系列 | NTLGF3402P |
身高 | 0.87 mm |
Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
技术 | Si |
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