1. NTLGF3402PT2G
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厂商型号

NTLGF3402PT2G 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-Pin DFN EP T/R

内部编号

277-NTLGF3402PT2G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:117000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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NTLGF3402PT2G产品详细规格

规格书 NTLGF3402PT2G datasheet 规格书
NTLGF3402PT2G datasheet 规格书
NTLGF3402P
NTLGF3402PT2G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.3A
Rds(最大)@ ID,VGS 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 10nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 350pF @ 10V
功率 - 最大 1.14W
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装 6-DFN (3x3)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6DFN EP
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 2.7 A
RDS -于 140@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 6.2 ns
典型上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 34 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DFN
最低工作温度 -55
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 140@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DFN EP
最大功率耗散 1140
最大连续漏极电流 2.7
引脚数 6
铅形状 No Lead
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.3A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 6-DFN (3x3)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.14W
封装/外壳 6-VDFN Exposed Pad
输入电容(Ciss ) @ VDS 350pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 10nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single Dual Source
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 - 2.7 A
正向跨导 - 闵 4.8 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 140 mOhms
功率耗散 1.6 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 22 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 20 V
宽度 3 mm
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V
产品 MOSFET Small Signal
品牌 ON Semiconductor
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 P-Channel
Id - Continuous Drain Current - 2.7 A
长度 3 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 140 mOhms
系列 NTLGF3402P
身高 0.87 mm
Pd - Power Dissipation 1.6 W
技术 Si

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